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          北大用ALD研制出15納米碳納米管CMOS器件

          北大用ALD研制出15納米碳納米管CMOS器件

          • 分類:公司新聞
          • 發布時間:2012-10-20
          • 訪問量:0

          【概要描述】北京大學采用嘉興科民電子公司ALD設備 (TALD-100)成功研制柵長15納米的碳納米管優越性能的CMOS器件。其中關鍵的HfO2高k柵介質是由嘉興科民電子ALD制備,該介質CV曲線沒有迴線,不存在短溝道效應和漏電。

          北大用ALD研制出15納米碳納米管CMOS器件

          【概要描述】北京大學采用嘉興科民電子公司ALD設備 (TALD-100)成功研制柵長15納米的碳納米管優越性能的CMOS器件。其中關鍵的HfO2高k柵介質是由嘉興科民電子ALD制備,該介質CV曲線沒有迴線,不存在短溝道效應和漏電。

          • 分類:公司新聞
          • 作者:
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          • 發布時間:2012-10-20
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            北京大學采用嘉興科民電子公司ALD設備 (TALD-100)成功研制柵長15納米的碳納米管優越性能的CMOS器件。其中關鍵的HfO2高k柵介質是由嘉興科民電子ALD制備,該介質CV曲線沒有迴線,不存在短溝道效應和漏電。TALD-100是由美國硅谷專家和中科院專家聯合研發,設備內腔采用SiC高集成設計,前驅體源消耗只是通常的20%,可低溫生長各種高質量薄膜。

           

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